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高纯臭氧发生器与普通臭氧发生器的区别

高纯臭氧发生器与普通臭氧发生器的区别

普通臭氧发生器通常输出的是臭氧与氧气的混合气体,臭氧体积分数一般在5%~15%左右。而明電舎采用的是液化分离技术制备的高纯臭氧,可连续提供接近纯臭氧的高浓度臭氧气体,用于半导体制造等高端应用。

高纯臭氧具有以下优势:

项目

普通臭氧

高纯臭氧(Pure Ozone)

臭氧浓度

通常5%~15%

可达80 vol%以上,部分系统接近100%

氧化能力

较高

更高

氧气稀释影响

较明显

显著降低

半导体应用

常规工艺

高端ALD、先进氧化工艺

较高的臭氧分压能够提高反应体系中的活性氧物种生成能力,也为OH自由基的生成创造了更有利的条件。不过,具体反应效率仍与温度、水蒸气浓度、停留时间等工艺参数密切相关,并非仅由臭氧浓度决定。

高纯臭氧发生器与普通臭氧发生器的区别

对国内科研和设备开发有哪些启示?

近年来,国内高校、科研院所及半导体设备企业在ALD工艺研究方面持续投入,高纯臭氧相关应用也逐渐受到关注。

此次明電舎公布的成果说明,高纯臭氧已经不仅仅是一种氧化剂,更可以作为生成高活性氧化物种的重要基础,为未来ALD工艺提供新的优化方向。

对于开展相关研究的实验室而言,除了臭氧发生器本身,还应关注整个臭氧系统的配置,包括:

高稳定性高浓度臭氧发生器;

耐臭氧输送管路及密封材料;

高精度在线臭氧浓度监测;

尾气分解与安全控制系统;

水蒸气供给及流量控制系统。

只有整套系统稳定运行,才能充分发挥高纯臭氧工艺的优势。

 


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