为什么OH自由基值得关注？

OH自由基被认为是自然界和工业氧化过程中活跃的氧化物种之一，具有极高的反应活性。

对于ALD而言，OH自由基能够更快速地氧化金属前驱体残留的有机配体，有助于减少：

碳残留（Carbon Contamination）

氮残留（Nitrogen Contamination）

未完全反应的有机基团

这些杂质往往会影响高k介质薄膜的介电性能、漏电流和长期可靠性。因此，提高氧化反应的完全程度，是先进ALD工艺持续优化的重要方向。

需要说明的是，OH自由基寿命极短，因此通常需要在反应区域内原位生成，而不是预先制备后输送。这也是该技术采用高纯臭氧与水蒸气在反应腔内生成OH自由基的重要原因。

官方实验结果：HfO₂薄膜杂质降低约100倍

根据明電舎公布的数据，在HfO₂薄膜沉积实验中，与传统臭氧氧化相比，新工艺使：

碳（C）杂质降低约100倍；

氮（N）杂质降低约100倍；

薄膜纯度进一步提升。

虽然官方新闻并未公开完整的工艺参数和电学性能数据，但这一结果表明，在适当条件下，引入OH自由基有望进一步改善高k介质薄膜质量。

对于先进逻辑器件、DRAM、3D NAND以及GAA晶体管等应用而言，降低薄膜中的杂质含量，对提升器件性能和可靠性具有重要意义。