·利用纯臭氧作为氧气源可以形成高品质的金属氧化物薄膜。

· 利用纯臭氧作为氧气源的优越性得到国际认知。

· 東京大学川崎研究室提供

· 可以In-situ即时清洗低压和高反应性电极部

· 在没有生成氧化物的同时去除污染（碳污染），保持光束反射率

· 100%浓度纯臭氧不含NOx和H₂O，不会对Mask,Mirror造成损伤

· 超真空环境下也能达到100%浓度纯臭氧，可以充分分解Out Gas

· 可以对碳素纤维进行内部改质

· 长期亲水性（1个月以上）

· 无热或物理损伤

· 通过OER工艺常温生成OH活性基，没有热或物理损伤

· 不需要真空排气，大幅度缩短成膜时间

· 利用专用喷头均匀喷射气体，上游和下游之间没有分布差异

· 室温下高速度灰化

· 可以灰化各种半导体光刻胶

· 在高离子注入后灰化时不产生光刻胶爆裂